삼성·SK, 중국 추격 속 '초격차' 유지 위한 승부수 던지다

AI 시대, 메모리 시장 주도권 사수 총력전

인공지능(AI) 메모리 수요 폭증 속에서 삼성전자와 SK하이닉스가 시장 주도권 사수에 총력을 기울이고 있습니다. 삼성전자는 평택캠퍼스 5공장 팹2 조기 착공과 '쌍둥이 팹' 전략으로 생산 속도와 물량 확대에 승부를 걸었고, SK하이닉스는 후공정 시설 증설을 통해 패키징·테스트 경쟁력 강화에 나섰습니다. 국내 메모리 양강의 투자 확대에도 중국 메모리 기업들의 추격이 거세지면서 업계에서는 '초격차' 유지를 위한 공격적인 투자와 기술 혁신이 필요하다는 목소리가 커지고 있습니다.

 

 

 

 

삼성전자, '더 많이 더 빨리'…7세대 HBM 공급 임박

삼성전자는 지금이야말로 초격차를 위한 투자 시점이라고 판단하고 있습니다. 지난 2월 세계 최초로 6세대 HBM 양산 출하에 성공한 데 이어, 2분기에는 7세대 HBM(HBM4E) 샘플을 주요 고객사에 공급할 계획입니다. 또한, 평택캠퍼스 P5 팹2 착공 시점을 앞당기고 '쌍둥이 팹' 전략을 통해 검증 절차를 줄여 공급 속도를 높이는 데 집중하고 있습니다. 이는 반도체 시장에서 공급 속도가 중요해진 만큼 즉시 공급을 늘리겠다는 전략입니다.

 

 

 

 

SK하이닉스, 19조 투자로 '패키징 리더십' 강화

SK하이닉스는 첨단 패키징과 품질 경쟁력 강화에 역량을 집중하고 있습니다. 충북 청주에 약 19조원을 투자해 첨단 패키징 전용 생산 거점인 'P&T7'을 착공했으며, 이는 반도체 칩을 제품 형태로 패키징하고 품질을 최종 검증하는 후공정을 전담하게 됩니다. 또한, 용인 클러스터 1기 팹 클린룸을 조기 개소하여 HBM4E의 기반이 될 1c D램 생산능력을 확보하고 기술 리더십을 이어가겠다는 계획입니다.

 

 

 

 

중국 추격 따돌리기 위한 '공격적 투자' 절실

전문가들은 중국의 추격을 따돌리기 위해 지금보다 훨씬 공격적이고 선제적인 대응이 필요하다고 강조합니다. 중국 메모리 기업들이 범용 D램뿐만 아니라 HBM 생산능력까지 확충하며 국내 기업을 빠르게 추격하고 있기 때문입니다. 이종환 상명대 교수는 "중국 반도체 기업이 삼성전자와 SK하이닉스를 따라잡기까지 최소 2~3년 이상이 더 걸릴 것"이라면서도, 이러한 격차를 유지하기 위해서는 지속적인 기술 개발과 과감한 투자가 필수적이라고 진단했습니다. 특히 수율 개선과 차세대 기술 개발의 중요성을 강조했습니다.

 

 

 

 

핵심은 '초격차' 유지, 기술 혁신과 과감한 투자가 답이다

AI 시대 메모리 시장의 주도권 경쟁이 치열해지는 가운데, 삼성전자와 SK하이닉스는 각각 생산 속도·물량 확대와 첨단 패키징 강화로 대응하고 있습니다. 하지만 중국 기업들의 거센 추격에 '초격차'를 유지하기 위해서는 지속적인 기술 개발, 과감한 투자, 그리고 정부의 생태계 지원이 필수적입니다. 파운드리 분야 경쟁력 강화 또한 중요한 과제로 남아있습니다.

 

 

 

 

궁금해하실 만한 점들

Q.삼성전자와 SK하이닉스의 HBM 기술 격차는 어느 정도인가요?

A.삼성전자는 6세대 HBM 양산에 성공했으며, 7세대 HBM 샘플 공급을 앞두고 있습니다. SK하이닉스 역시 HBM4E 기반 기술 확보에 주력하며 기술 리더십을 이어가고 있어, 두 기업 모두 최첨단 HBM 기술을 선도하고 있습니다.

 

Q.중국 메모리 기업들의 추격이 얼마나 위협적인가요?

A.중국 기업들은 범용 D램뿐만 아니라 HBM 생산 능력까지 확충하며 빠르게 추격하고 있습니다. 전문가들은 기술 격차가 존재하지만, 지속적인 투자와 기술 개발이 없다면 초격차 유지가 어려울 수 있다고 경고하고 있습니다.

 

Q.초격차 유지를 위해 필요한 정부의 역할은 무엇인가요?

A.정부는 스타트업과 소재·부품·장비(소부장) 기업에 대한 지속적인 지원을 통해 산업 생태계를 강화해야 합니다. 탄탄한 생태계는 결국 국내 메모리 기업들의 경쟁력 강화로 이어질 수 있습니다.